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單片集成 6 比特光延時芯片
梓冠光電的單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時
路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
特性
高速切換
高延時精度
超小尺寸
超寬帶工作
全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)
應(yīng)用
光控相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)
規(guī)格參數(shù)
性能指標(biāo) Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時位數(shù) Delay bits | / | 6 | 可定制 Can be customized |
小延時步進(jìn) Min.step-delay | ps | 59.2 | 可定制 Can be customized |
可調(diào)節(jié)大延時量 Adjustable max.delay | ps | 3729.6 | |
延時偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 Delay switching time | μs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時態(tài)損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 22×10×0.7 |
〖電管腳定義 Pin definition〗
〖延時量和光開關(guān)傳輸狀態(tài)對應(yīng)關(guān)系Correspondence between delay amount&optical switch transmission state〗
〖芯片尺寸（單位：mm）Chip dimension(Unit:mm)〗
9年
