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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..02月13日 -
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..02月13日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..02月13日
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中國場效應(yīng)管行業(yè)發(fā)展調(diào)查與競爭策略分析報告2022-2028年............................................[報告編號] 354349[出版日期] 2022年9月[出版機構(gòu)] 中研華泰研究院 [交付方式] EMIL電..02月13日
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1000.00元回收場效應(yīng)管MOSFET電子料 深圳欣輝達廢料回收公司，張先生，深圳各地區(qū)經(jīng)營點：寶安（西鄉(xiāng)，石巖，松崗，福永，沙井，公明，光明，龍華，觀瀾），南山（西麗，梅林，南頭,蛇口)，鹽田，..02月13日
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PMOS 場效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..02月14日
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場效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..02月14日
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2.00元MT30046S是n溝道功率MOSFET特性?類型Ros(.n)=10V,ID=30A?。極低Ros(on)和高p(p)的導電溝槽技術(shù)。MT30046S n溝道功率MOSFET特性?類型Ros (. n)=10V,ID =20A?。極低Ros(on)和高p (p)的導電溝槽..02月12日
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MT3205---這款n溝道MOSFET采用MOS-TECH半導體的PowerTrench工藝生產(chǎn)，該工藝具有MT3205 特性大額定值(TA = 25，除非另有說明)D G S DC/DC轉(zhuǎn)換器*HQHUDO' hvfulswlrq ' R'6 21 f D..02月12日
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MT3287---n溝道功率MOSFET MT3287/B在V =10V,I =40A時大R (on)=6.8m R (on)溝槽技術(shù)，可實現(xiàn)極低的to - 220lb - 3l TO-263-2L高功率和電流處理能力D R (on)和快速開關(guān)速度。該n溝道MOSFET專為..02月12日
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3.00元MT11G035B= 100V MOSFET技術(shù)，經(jīng)過特優(yōu)化，可提供的高頻開關(guān)性能。由于RDS(ON)和Qg的組合極低，導通和開關(guān)功率損耗都小化。該器件是高頻開關(guān)和同步整流的理想器件。02月12日
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晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質(zhì)量、性能測試、功..02月13日
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深圳市浩輝微電子生產(chǎn)場效應(yīng)管 高低壓MOS管： 20N65 TO-220F 塑封封裝，電流：20A ,電壓：650V ,管裝包裝，小包裝1K/盒，20N65 TO-220 塑封的廣泛用于各種小功率開關(guān)電源、L..02月13日
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深圳市浩輝微電子生產(chǎn)場效應(yīng)管 高低壓MOS管： 10N65 TO-220F 塑封封裝，電流：10A ,電壓：650V ,管裝包裝，小包裝1K/盒，10N65 TO-220 塑封的廣泛用于各種小功率開關(guān)電源、L..02月13日
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1.00元供應(yīng)P&N溝道場效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)惠，歡迎訂購。02月08日
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31.00元場效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————12月26日
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2.00元**低導通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..12月20日
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2.00元MT3287-N溝道場效應(yīng)管，作為一種增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導體制造工藝，確保了在高溫..12月20日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電源及高速信號切換等應(yīng)用的理想選..12月20日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計的N溝道場效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導通電阻（RDS(on)）等。這些參..12月20日
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